Pyro 400:直接读取GaN和SiC温度

在基于GaN的LED生产过程中仍存在一个造成困扰的问题,即无法测量和控制蓝宝石或SiC外延生长过程中,GaN表面的真实温度。雷泰提供的Pyro400可解决这一问题,该系统可以精确测量位于蓝宝石和SiC上的GaN表面的真实温度,直接控制InGaN多量子阱(MQW)层的生长情况。

 

LayTec's latest development Pyro 400 Gen3 comes to the market with its own calibration tool: AbsouT 400. ...more

 

Pyro 400和EpiCurve® TT组合可为用户提供生长的所有实时参数,优化控制金属有机物化学气相沉积(MOCVD)中的LED生长情况。   ...更新信息请参阅EpiCurve® TT

 

所有雷泰原位系统均配备了专为制程优化、分析和控制所开发的雷泰软件。我公司的软件解决方案可在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工厂里控制几个系统,并同时监测所有批次,帮助操作人员根据先进制程控制(APC)的具体情况作出“终止或继续”的决定。   ...更多

 

Product information

Fields of application:

• GaN LED and laser diode production
• III-Nitride growth on sapphire
• SiC growth
• R&D for new materials and devices
and many others


Product features:

  • Ultraviolet (UV) pyrometry for direct GaN surface temperature control
  • Strict LED emission wavelength uniformity control
  • Automated correction of viewport coating effects to enable long-lasting, 24/7 accuracy in HB-LED emission wavelength
  • Additional infrared (IR) pyrometry for pocket temperature
  • Full performance up to 1500 rpm main susceptor rotation


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