EpiTT在一套系统中结合了三个波段的温度和反射率测量。在测量真实温度(TT)时,我公司采用校正发射率高温计,950nm可精确反应不透明材料(Si、GaAs、InP)的表面温度。在950nm测量透明的材料(GaN,蓝宝石,SiC)时,EpiTT可测量载体上方的温度。用三个波长测量反射率,监测生长层的所有基本性能,如生长速率、薄膜厚度、化学计量变化和形态。

EpiTT可为所有种类的外延生长系统提供工业标准计量,并可在0—1500rpm范围内与不同的主转动频率相兼容。

LayTec‘s EpiTT FaceT for GaAs laser facet coating is an in-situ spectroscopic metrology tool especially designed for accurate temperature measurement during MBE passivation of GaAs laser facets in conjunction with real-time sensing of the passivation layer thickness.
The laser stack temperature can be determined both during cleaning and passivation in a range from room temperature up to 400 °C.
EpiTT FaceT facilitates the real-time determination of the passivation layer thickness in a typical range from 0 - 30 nm.

 

LayTec可根据客户要求,充分利用Gen3原位平台的模块化概念定制并拓展VCSEL外延的原位测量性能。. ...more

 

雷泰可为EpiTT系列提供多头配置,主要适用于多晶圆环形反应器。此类型号拥有两个(EpiTwin TT)或三个(EpiTriple TT)光学头,可独立采集各位置的温度并测量反射率。几乎所有的雷泰EpiTT均可升级为多头系统。

 

EpiCurve® TT系列产品均可在三个波段下进行校正发射率的温度监测和反射率测量。在使用多晶圆环形反应器时,配备两个或三个EpiTT头的系统可分别在两个或三个不同位置单独进行温度和反射率测量。

 

对于我公司系统包括的一个EpiTT光学头,我们可提供独立的温度校正工具——AbsoluT。该手持式设备体积较小,可为不同环、反应器上的EpiTT设置相同的绝对温度参考点,保证环与环、反应器与反应器和各批次之间的温度保持一致。   ...更多

 

所有雷泰原位系统均配备了专为制程优化、分析和控制所开发的雷泰软件。我公司的软件解决方案可在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工厂里控制几个系统,并同时监测所有批次,帮助操作人员根据先进制程控制(APC)的具体情况作出“终止或继续”的决定 ...更多

 

To monitor precisely both AlGaN growth rate and surface morphology during UV-C LED epitaxy, LayTec offers an additional 280 nm reflectance channel that employs a UV-C LED as a light source. Learn more on our UV LED page of the website

 

EpiTT系列中的所有产品(EpiTT、EpiTwin TT、EpiTriple TT)均适用于各类金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长系统,如:

• 行星转盘式系统

• 类喷淋式系统

• 大盘转速可高达1500rpm的系统

• 研发类型与客制金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长系统

 

实际上,所有现代电子设备均依赖于日益复杂的薄膜结构组成的电子电路。实际器件或是不断缩小物理尺寸(最新逻辑和存储设备的“摩尔定律”),或是不断添加新的功能(如微电子机械系统的“超越摩尔定律”)。如今,器件的物理尺寸已接近极限。因此,半导体生产工艺中不断引入更为复杂的多层结构,以便克服或避免此类限制。其中两个最为突出的实例为新一代的固态记忆和平面光学微电子机械系统(MEMS)。出于各种原因,此类器件的复杂性要求采取全新的制程控制方法:一方面,专门用于晶圆测试领域的后道测量方法无法解决此类3D结构精确度不足的问题。另一方面,此类多层结构的沉积时间明显长于单层结构。因此需要进行原位测量反馈,以避免由于制程偏差引起的徒劳性生产沉积时间。因此,原位测量成为市场推出下一代产品不可或缺的前提条件。

 

雷泰适用于瑞博、维易科、DCA和VG生产的多种分子束外延(MBE)系统。可根据要求提供与其他制造商产品和自制系统相兼容的系统。更多详情,请参阅应用说明:

  • 在分子束外延(MBE)中适用于GaN生长的EpiTT
  • 在分子束外延制程中测量真实温度
 

在氢化物气相外延(HVPE)应用中,EpiTT控制:

  • 表面粗糙度
  • 测定前10µm的生长速率
  • 950nm测量的反射率和高温值

更多详情,请参阅应用说明,或咨询info@laytec.de

 

Product information

Fields of application

  • GaN LED and laser diode production
  • GaAs/AlGaInP/InP laser diode production
  • Triple-junction solar cell production on GaAs, Ge, Si
  • SiC for power electronics
  • R&D for new materials and devices

Product features

Emissivity Corrected Pyrometry:

  • Temperature range: T=450°C to 1300°C for large viewport systems / T=500°C to 1400°C  for narrow viewport systems / other temperature ranges on request, e.g. 1500°C for UV LED applications, 1700°C for SiC
  • Accuracy better than 1 K
  • Wafer and area selective measurements
  • True wafer temperature for opaque semiconductors such as InP, Graphite (SbS)
  • Pocket temperature for GaN, Sapphire and SiC


Reflectance at three wavelengths:

  • 950 nm, 633 nm and 405 nm
  • Growth rate, layer thickness, roughness and other layer qualities


Full performance up to 1500 rpm main susceptor rotation!

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