EpiCurve® TT产品系列：有效控制应变！

为战胜更大尺寸晶圆（4"、6"或8"）带来的挑战，您需要配备更为先进的EpiCurve® TT系统。该系统在EpiTT的所有功能中融入了曲率测量：通过测量三个波段中的反射率实现经过校正的发射率高温计和生长速率/厚度测量。该工具可避免出现裂纹，达成平整晶圆，控制温度的均匀性。在控制晶圆非球面弯曲时，可为各曲率测试系统配备高分辨率（AR）的曲率测量工具（EpiCurve® TT AR）。

LayTec可根据客户要求，充分利用Gen3原位平台的模块化概念定制并拓展VCSEL外延的原位测量性能。 ...more

 

雷泰可以提供EpiCurve®  TT与EpiTT系列产品的各种组合：EpiCurve® Twin TT含两个EpiTT光学头，EpiCurve® Triple TT含三个EpiTT光学头，可在不同的位置分别测量温度和反射率。

 

当涉及到弓形红外（IR）透明衬底时，如蓝宝石或SiC，常规的红外（IR）高温计仅可测量大盘表面温度。雷泰的Pyro 400可以直接测量蓝宝石或SiC上GaN的表面温度，实现对InGaN多量子阱（MQW）层的直接温度控制。Pyro 400和EpiCurve® TT组合可以为您提供所有实时生长参数，更好的监测蓝光和绿光LED以及激光二极管中的量子阱生长。   ...更多

 

对于我公司系统包括的一个EpiTT光学头，我们可提供独立的温度校正工具——AbsoluT。该手持式设备体积较小，可为不同环、反应器上的EpiTT设置相同的绝对温度参考点，保证环与环、反应器与反应器和各批次之间的温度保持一致。   ...更多

 

所有雷泰原位系统均配备了专为制程优化、分析和控制所开发的雷泰软件。我公司的软件解决方案可在金属有机物化学气相沉积（MOCVD）工厂里控制几个系统，并同时监测所有批次，帮助操作人员根据先进制程控制（APC）的具体情况作出“终止或继续”的决定。   ...更多

 

EpiTT系列中的所有产品（EpiTT、EpiTwin TT、EpiTriple TT）均适用于各类金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长系统，如：行星转盘式、类喷淋式、研发类型与客制金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长系统等。更多详情，请下载EpiCurve® TT 数据表。

 

在外延生长过程中通过喷头观察口的小开口检测薄膜的原位应变是一项挑战。通过我公司的高级软件算法，我们将EpiCurve®TT的信噪比整整提高了一个数量级。 ...more

 

雷泰适用于瑞博、维易科、DCA和VG生产的多种分子束外延（MBE）系统。可根据要求提供与其他制造商产品和客制系统相兼容的系统。更多详情，请下载应用说明：适用于分子束外延（MBE）的EpiCurve® TT。

 

To see LayTec in-situ metrology live, you can watch a video that we have taken at a customer site. In a short lab tour at FBH Berlin in Germany you will see how EpiCurve® TT and EpiRAS TT monitor LED and laser growth and help optimize the processes. ... more

 

Product information

Fields of application

  • GaN LED and laser diode production
  • III-Nitride growth on silicon
  • GaAs/AlGaInP/InP laser diode production
  • Triple-junction solar cell production on GaAs, Ge, Si
  • SiC for power electronics
  • R&D for new materials and devices

Product Features

Curvature:

  • Wafer-selective curvature measurements in the curvature range from -7000 km-1 (convex) to +800 km-1 (concave)
  • Versions with a blue laser provide measurements on double-sided polished and patterned substrates
  • Aspherical bowing curvature measurements with an Advanced Resolution (AR) option


Emissivity Corrected Pyrometry:

  • Temperature range: T = 450°C to 1300°C for large viewport systems / T = 500°C to 1400°C  for narrow viewport systems / other temperature ranges on request, e.g. 1500°C for UV LED applications, 1700°C for SiC
  • Accuracy better than 1 K
  • Wafer and area selective measurements
  • True wafer temperature for opaque semiconductors such as InP, Graphite (SbS)
  • Pocket temperature for GaN, Sapphire and SiC


Reflectance at three wavelengths:

  • 950 nm, 633 nm and 405 nm
  • growth rate, layer thickness, roughness and other layer qualities

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In-situ product portfolio