EpiTT 제품계열: 양산에 최적합 기기

EpiTT 는 세개의 파장을 이용한 반사특성과 온도측정을 결합한 기기이다. True Temperature (TT)를 위하여, Emissivity Corrected Pyrometry(방사율 보정한 파이로 메터)를 적용하여, 950 nm에서 불투과인  Si, GaAs, InP의 정확한 표면온도를 제공한다. 950 nm에서 투과형인 GaN, Sapphire, SiC에 대해서는 EpiTT는 캐리어의 표면온도를 측정한다. 세 파장에서의 반사율을 측정함으로써 성장 각층의 모든 중요인자인 성장속도, 막두께, 조성 및 표면상태를 감시 할 수 있다.
EpiTT는  0-1500 rpm의 회전속도를 가지는 모든 에피성장 시스템의 산업표준 계측방법을 제공한다.

LayTec‘s EpiTT FaceT for GaAs laser facet coating is an in-situ spectroscopic metrology tool especially designed for accurate temperature measurement during MBE passivation of GaAs laser facets in conjunction with real-time sensing of the passivation layer thickness.
The laser stack temperature can be determined both during cleaning and passivation in a range from room temperature up to 400 °C.
EpiTT FaceT facilitates the real-time determination of the passivation layer thickness in a typical range from 0 - 30 nm.

 

LayTec has customized and expanded EpiTT's performance for VCSEL epitaxy: The new EpiTT VCSEL combines spectral reflectance measurements with the robust and industry proven EpiTT performance. EpiTT VCSEL contains two fiber optical heads: one for a standard EpiTT and one for spectral reflectance sensing. ...more

 

LayTec은 복수 웨이퍼 링 장치에 맞도록 특별히 설계한 복수 헤드로 구성한 시스템을 제공한다. 이 모델은 각 독립된 위치의 온도 및 반사율을 제공할 수 있도록 두개(EpiTwin TT) 혹은 세개(EpiTriple TT)의 광학 헤드를 구성 할 수 있다. LayTec의 대개의EpiTT제품은 복수 헤드 시스템으로 개조 가능하다.

 

방사율을 보정한 온도측정과 세 파장을 이용한 반사특성측정기능은 EpiCurve® TT계열 모든 제품들에도 포함되여 있다. 복수 웨이퍼링 장치에 대해서도 독립한 두개 혹은 세개의 위치에서 온도 및 반사율을 측정할 수 있는 EPiTT헤드가 두개 혹은 세개인(EpiCurve®Twin TT 및 EpiCurve®Triple TT)제품을 제공한다. ###NOHIDE###

 
 

LayTec의 모든 in-situ system은 공정 적합화, 분석 및 제어 적합하도록 설계한 LayTec software를 사용한다.    이 소프트웨어는 MOCVD 라인에서 여러 시스템을 제어함이 가능하여, 모든 Run을 동시에 감시할 수 있고 작업자가  Advanced Process Control (APC)기능에 기초하여 장치의  정지 혹은 진행 결정할 수 있도록 지원한다.

 

To monitor precisely both AlGaN growth rate and surface morphology during UV-C LED epitaxy, LayTec offers an additional 280 nm reflectance channel that employs a UV-C LED as a light source. Learn more on our UV LED page of the website

 

EpiTT 계열의 모든 제품은 (EpiTT, EpiTwin TT, EpiTriple TT) 아래와 같은 여러 형태의 MOCVD성장장치에 사용가능하다.

  • satellite 회전 장비
  • showerhead구조 장비
  • 메인 서셉터가 1500 rpm까지 회전하는 장비
  • R&D 및  특화된 MOCVD 성장 장비
 

현실적으로, 모든 현대 전자기기들은 그 복잡성이 증가하는 박막으로 구성되는 전자회로에 의존한다. 실소자의 물리적 크기는 일정하게 줄여져 왔으며(최신 로직과 메모리 소자경우 무어의 법칙 이상), 혹은  새로운 기능이 추가 되여 왔다(예를 들면 미세전가기기 시스템은 무어의 법칙보다 훨씬 그 이상). 오늘날, 외형 크기의 축소는 물리적 한계에 접근 하고 있다. 따라서, 이러한 한계극복을 위해 반도체 소자 제조에 있어서는 더욱 더 복잡한 다층 구조들이 사용되게 되었다. 차세대 반도체 메모리와 광학 미세소자(MEMS)는 이러한 현실의 확실한 두 가지 예이다. 이러한 소자의 복잡성은 여러 가지 이유로 공정 제어를 위한 완전히 새로운 방안이 요구된다:한편으론 웨이퍼상 필수적인 시험에서 공정 진행후 계측기술로는 3D구조에서 요구되는 충분한 정밀도를 제공 할 수 없다.  또 다른 한편으로는 다층구조에서 박막의 증착 시간은 단층막의 경우에 비해 매우 증가하였다. 따라서 공정진행중 편차에 의한 비생산적 시간을 감소하기 위해서는 인시츄 계측에 의한 휘드백이 필요하게 되었다. 이러한 배경으로 인시츄 계측기술은  차세대의 마켓 진입에 필수적인 조건이 되었다.

LayTec의 3DStaR과 EpiTT 기기는 에피증착과 마찬가지로 플라즈마 화학기상증착(PECVD)과 원자층증착(ALD)에서 복잡한 다층막의 성장을 성공적으로 관찰할 수 있는 기기들로 응용되게 되었다.

추가정보는 저희 회사의 application note를 참조하시거나, info@laytec.de로 문의 바랍니다.

 

LayTec의 센서는 Riber, Veeco, DCA 및 VG사등의 MBE장비에도 적용할 수 있다. 다른 장비 및 고객사가 자가 제작한 장비에도 설치가능하며 더욱 상세한 자료는, 아래의 저희 Application Notes(응용소개)자료를 참조바람:

 

HVPE응용에서, EpiTT는 아래를 제어한다:

  • 표면거칠기
  • 처음10 µm까지의 성장 속도
  • 950 nm에서 반사율과 온도

저희 application note에서 정보를 확인하시거나  추가정보는 contact info@laytec.de 로 요청바람.

 

제품정보

응용분야

GaN LED 및 레이저 다이오우드 제품

  • GaAs/AlGaInP/InP 레이저 다이오우드 제품
  • GaAs, Ge, Si상 Triple-junction 솔라 셀 제품
  • 신재료 및 소자를 위한  R&D

외 많은 기타분야

제품기능

방사보정한 온도측정:

  • T = 450 °C to 1300 °C for large viewport systems / T = 500 °C to 1400 °C  for narrow viewport systems / other temperature ranges on request, e.g. 1500 °C for UV LED applications, 1700 °C for SiC
  • 정도 1 K
  • 웨이퍼 및 측정위치 지정가능
  • InP, Graphite (SbS)과 같은 불투명 반도체의 실제온도측정
  • GaN, Sapphire and SiC에 대한 포켓온도측정


세 파장에서 반사특성측정:

 

  • 950 nm, 633 nm 및  405 nm
  • 성장속도, 막두께, 거칠기 및 기타 막의 품질

메인 서셉터의  1500 rpm까지의 완전한 성능발휘!

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