Pyro 400:直接读取GaN和SiC温度

在基于GaN的LED生产过程中仍存在一个造成困扰的问题,即无法测量和控制蓝宝石或SiC外延生长过程中,GaN表面的真实温度。雷泰提供的Pyro400可解决这一问题,该系统可以精确测量位于蓝宝石和SiC上的GaN表面的真实温度,直接控制InGaN多量子阱(MQW)层的生长情况。

 

Following  Pyro 400’s track record of  securing top production yields fab-wide at leading HB-LED manufacturers, we have launched the next generation: Pyro 400 Gen 2.   ...more

 

LayTec's latest development Pyro 400 Gen3 comes to the market with its own calibration tool: AbsouT 400. ...more

 

Pyro 400和EpiCurve® TT组合可为用户提供生长的所有实时参数,优化控制金属有机物化学气相沉积(MOCVD)中的LED生长情况。   ...更新信息请参阅EpiCurve® TT

 

所有雷泰原位系统均配备了专为制程优化、分析和控制所开发的雷泰软件。我公司的软件解决方案可在金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工厂里控制几个系统,并同时监测所有批次,帮助操作人员根据先进制程控制(APC)的具体情况作出“终止或继续”的决定。   ...更多

 

产品信息

应用领域

  • GaN LED和激光二极管生产
  • 基于硅的III族氮化物生长
  • SiC生长
  • 新型材料和器件的研发 等等

产品特性

  • 紫外线(UV)高温计适用于直接控制GaN表面温度
  • 对LED发射波长的均匀性进行严格控制
  • 自动校正视窗涂层的影响,在长时间(24/7)内保证HB-LED发射波长的精确性
  • 为大盘表面温度测量提供红外(IR)高温计

  大盘转速可高达1500rpm

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