原位测量

原位是一个拉丁语短语,字面解释为“现场”。在制程监测中,这一短语是指观察整个薄膜沉积过程中的薄膜形成过程的现场实时工具。雷泰的原位测量支持开发新的薄膜制程、材料和结构。在已建立的制程中,必须适用于高产量,且满足最大正常运行时间。雷泰的原位监测解决方案是当今市场上最为先进的解决方案。我公司系统涵盖整个薄膜应用领域,可以读取所有重要的薄膜生长参数。

EpiTT系列产品包括EpiTT、EpiTwin TT和EpiTriple TT。此类原位测量工具与经过校正的发射率高温计相结合,可以测量晶圆的真实温度,通过测量三个波段的反射率,确定实时生长速度、层厚度、表面粗糙度和层的其他性质。

 

EpiCurve® TT系列产品结合了晶圆曲率测量与EpiTT的所有功能。EpiCurve® TT、EpiCurve® Twin TT和EpiCurve® Triple TT适用于应变层堆积,有助于避免出现裂缝,保持晶圆平整,均匀控制温度。

 

Pyro 400可以精确测量蓝宝石GaN表面和SiC表面的真实温度,并可直接控制InGaN多量子阱层(MQW)的生长情况。

 

EpiRAS® TT is used for cubic semiconductors for III-V surface and interface analysis in the R&D stage. The in-situ system provides data on wafer temperature, growth rate, color-plot (RAS/sR) fingerprints, composition, morphology and doping levels. ... more

 
 
 
 
 

In-situ benefits

  • Understanding and optimization of the deposition process
  • Fast development cycles
  • Identification of process deviations at their root cause
  • Prediction and control of final device properties
  • Identification of defect wafers that should not be further processed
  • In-situ methods increase knowledge
  • In-situ tools save money

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